懷化學(xué)院吳雄利博士應(yīng)邀來物理與機電工程學(xué)院開展學(xué)術(shù)交流

（李尋）11月28日上午，懷化學(xué)院吳雄利博士應(yīng)邀參加由我院組織的研究生學(xué)術(shù)活動節(jié)“材料與物理”分論壇，并在第十二教學(xué)樓A101會議室做學(xué)術(shù)報告。此次報告由副院長黃勇剛教授主持，在校碩士生導(dǎo)師、部分我院兼職碩士生導(dǎo)師及學(xué)院全體研究生參加了此次報告。

眾所周知，輻照可以破壞材料的結(jié)構(gòu)，并對材料的性能產(chǎn)生重要影響。基于此，吳雄利博士做了題為“電離輻照對二維WSe₂光力電磁耦合性能的影響”的報告，通過量子多體理論設(shè)計與預(yù)測結(jié)合原位測試表征技術(shù)，對應(yīng)變調(diào)控和失效機制進(jìn)行了詳細(xì)分析。理論計算與實驗表征相結(jié)合，讓大家了解到有氧環(huán)境和無氧環(huán)境電離輻照對WSe₂性能的影響、層數(shù)對WSe₂性能的影響。

吳雄利博士畢業(yè)于湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程專業(yè)，現(xiàn)就職于懷化學(xué)院電子信息與工程學(xué)院，主要研究方向為微納米電子器件技術(shù)。

圖為  報告現(xiàn)場

（審核責(zé)任人：黃勇剛）